BEHLKE電源穩(wěn)壓器電子元器件型號(hào)解析

Behlke 產(chǎn)品組C3 - MOSFET，可變導(dǎo)通時(shí)間，低耦合電容

1）HTS 901-10-LC2，低電容MOSFET開(kāi)關(guān)，采用高壓瞬態(tài)LC2技術(shù)。該開(kāi)關(guān)旨在滿足非?？量痰墓I(yè)要求。隔離電壓> 150 kV      （可選高達(dá)300 kV）。內(nèi)置控制單元（可更換）。90 kVDC，100 A.導(dǎo)通電阻<40歐姆。開(kāi)啟上升時(shí)間<50 ns。  

2）HTS 901-10-LC2，如上所述，但帶有選件SEP-C（獨(dú)立控制單元）和選件DLC（直接液體冷卻）。  

3）HTS 1001-20-LC2，高功率MOSFET開(kāi)關(guān)，帶選件TH（管狀外殼）和選件DLC（直接液體冷卻）。100 kVDC，200 A pk。，上升時(shí)間<50 ns，大值 功耗30千瓦     

Behlke 產(chǎn)品組C4 - 溝槽FET，可變導(dǎo)通時(shí)間，高電流，低電阻

1）HTS 71-13-BC，緊湊型系列。新的TRENCH FET技術(shù)，具有低導(dǎo)通電阻。7.8 kVDC，130 A pk，<1 Ohm，tr <10 ns。尺寸79 x 38 x 17 mm 

2）HTS 61-23-B，新的溝槽FET，具有低導(dǎo)通電阻和高峰值電流。帶可選銅散熱片（選件CF）。6.5 kVDC，230 A pk，Ron <0.4 Ohm，tr <15ns  

3）HTS 231-52-B，新的Trench FET技術(shù)，具有低導(dǎo)通電阻和高峰值電流。23 kV，520 A，<0.7 Ohm，tr <20 ns。使用選件CF-X2（散熱片X2）和C-DR（驅(qū)動(dòng)器散熱）   
  

Behlke 產(chǎn)品組C5 - MOSFET，可變導(dǎo)通時(shí)間，雙極性，用于交流和直流電壓

1 ）HTS 61-01-AC-C，用于交流，直流和雙極直流電壓的MOSFET開(kāi)關(guān)。緊湊型系列。尺寸79 x 38 x 17毫米。6 kVAC（pk）/ 15 A（pk）。  

2）HTS 131-26-AC-B，用于交流，直流和雙極直流電壓的溝槽FET開(kāi)關(guān)。帶可選銅散熱片（選件CF）和屏蔽輸入（選件LS-C）。13 kVAC（pk）/ 260 A（pk）。  

3）HTS 231-26-AC-B，溝槽FET開(kāi)關(guān)，用于交流，直流和雙極直流電壓。帶可選銅散熱片（選件CF）和屏蔽輸入（選件LS-C）。23 kVAC（pk）/ 260 A（pk）。

4）  各種MOSFET交流開(kāi)關(guān)，30至70 kV / 100 A，帶管狀外殼（選件TH）和直接液冷（選件DLC）。    

HTS 31-GSM介紹：
HTS 31-GSM推挽式開(kāi)關(guān)由兩部分組成交替控制的固態(tài)開(kāi)關(guān)轉(zhuǎn)向由大量MOSFET組成平行并且串聯(lián)。 HTS 31-GSM擁有全部*的HTS系列的優(yōu)點(diǎn)開(kāi)關(guān)，例如控制簡(jiǎn)單，電流高隔離，精確切換特性，高可靠性，長(zhǎng)壽命和小尺寸。 push-pul這里描述的開(kāi)關(guān)可以首先用于產(chǎn)生高邊緣的真正方波脈沖主要是電容性或電阻性的陡度加載。帶推挽式開(kāi)關(guān)的發(fā)電機(jī)解決方案與單開(kāi)關(guān)相比具有明顯的優(yōu)勢(shì)關(guān)于功耗和工作電阻脈沖下垂。特別是超大的儲(chǔ)能電容器和強(qiáng)大的高壓電源可以在純電容的情況下可以省去裝載，因?yàn)椴恍枰峁┱嬲碾娏φ麄€(gè)脈沖持續(xù)時(shí)間，就像*的數(shù)字CMOS-ICS具有可觀的功耗僅在較高頻率下出現(xiàn)。興衰開(kāi)關(guān)輸出的時(shí)間幾乎相同并且第1次有可能產(chǎn)生極其精確的高壓方波脈沖僅使用一個(gè)組件，具有成本效益。 HTS31-GSM配備了抗噪聲控制電路，確保始終正確的時(shí)間內(nèi)部開(kāi)關(guān)元件甚至多困難的操作條件。通過(guò)監(jiān)視和調(diào)節(jié)輸入信號(hào)不能發(fā)生不飽和的轉(zhuǎn)換。一個(gè)內(nèi)置的具有自動(dòng)復(fù)位功能的thermotrigger提供防止中長(zhǎng)期過(guò)熱。

HTS 31-GSM連接和操作：
HTS 31-GSM可以產(chǎn)生正，負(fù)和雙極脈沖。相應(yīng)的附件高壓側(cè)的電路如圖所示相鄰圖。為了短暫的過(guò)渡緩沖電容器CB至少應(yīng)該具有的時(shí)間負(fù)載電容CL的值的十倍。該串聯(lián)電阻器Rs不是必要的推薦用于阻抗匹配和阻尼累積瞬變，用于短路保護(hù)，有時(shí)還可以減輕負(fù)擔(dān)該切換電容功率耗散。在可能的阻抗的情況下匹配它應(yīng)該注意靜態(tài)上電阻Rstat隨流動(dòng)的負(fù)載電流而變化。因此，在高電容和a相應(yīng)的高脈沖電流Rs的值有時(shí)候可以減少到更短的時(shí)間過(guò)渡時(shí)期。好確定佳值根據(jù)經(jīng)驗(yàn)，盧比的價(jià)值關(guān)于邊緣陡度的個(gè)別要求和瞬態(tài)響應(yīng)。帶負(fù)載電容超過(guò)1 nf的峰值電流應(yīng)該是有限的通過(guò)盧比達(dá)到30安培。

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